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美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。典型的杂散参数如电感值，在电路中逐渐成为关键组件。
https://www.alighting.cn/resource/20140411/124685.htm2014/4/11 11:14:58
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
5月7日，cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一
https://www.alighting.cn/news/20190508/161832.htm2019/5/8 9:45:57
据了解，6英寸底板量产后，SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高，有助于削减制造成本，SiC功率元件的价格有望降低。目前，部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC二
https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00
美国大型SiC底板厂商科锐（cree）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ecscrm）”上，以“defect control in si
https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用SiC制功率元件，
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
cree已经开始了从100 mm (4英寸)到150 mm (6英寸)晶圆制造的转移，此举将有助于大力提升产量及生产力，并降低芯片价格。但cree首席执行官chuc
https://www.alighting.cn/news/201227/n396137338.htm2012/2/7 9:51:36
