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很多SiC基板厂商已转向开发6英寸产品。口径增至6英寸，虽然能够提高SiC制功率元件的生产效率，但结晶缺陷增加会导致成品率降低。因此，能否在保持现行4英寸产品的结晶品质下实现6英
https://www.alighting.cn/news/20110921/100107.htm2011/9/21 9:27:56
本文阐述了led晶圆的制作工艺，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:35:13
接缩小散热片70%的体积或提高50%的功率密度。新型六只装SiC模块可以消除传统的设计限制(功率密度、效率和成本)，允许设计人员设计出高性能、低成本且更可靠的功率转换系统。与最先
https://www.alighting.cn/news/20130516/112577.htm2013/5/16 9:45:17
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多，所以使得材料利用率显著提高，因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺，刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小，这就使得晶圆颗粒之
https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06
美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。典型的杂散参数如电感值，在电路中逐渐成为关键组件。
https://www.alighting.cn/resource/20140411/124685.htm2014/4/11 11:14:58
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
根据研调机构semi的报告指出，2012年的全球led晶圆制造产能将比2011年成长27%，预计达200万片，其中，估计台湾的占比约25%，稳居第一。
https://www.alighting.cn/news/20120208/89602.htm2012/2/8 10:41:21
台积电(2330)中科fab15本季量产后，12寸晶圆月产能将首度突破30万片，来到30.4万片，在产能逐季增加下，法人预估，台积电今年底12寸月产能挑战35万至40万片大关，持
https://www.alighting.cn/news/20120315/113842.htm2012/3/15 10:13:58
