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2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
5月7日，cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一
https://www.alighting.cn/news/20190508/161832.htm2019/5/8 9:45:57
美国大型SiC底板厂商科锐（cree）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ecscrm）”上，以“defect control in si
https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00
据了解，6英寸底板量产后，SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高，有助于削减制造成本，SiC功率元件的价格有望降低。目前，部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC二
https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00
台积电(2330)中科fab15本季量产后，12寸晶圆月产能将首度突破30万片，来到30.4万片，在产能逐季增加下，法人预估，台积电今年底12寸月产能挑战35万至40万片大关，持
https://www.alighting.cn/news/20120315/113842.htm2012/3/15 10:13:58
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
根据研调机构semi的报告指出，2012年的全球led晶圆制造产能将比2011年成长27%，预计达200万片，其中，估计台湾的占比约25%，稳居第一。
https://www.alighting.cn/news/20120208/89602.htm2012/2/8 10:41:21
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用SiC制功率元件，
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋，约150mm的SiC底板，6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于led、高频元件及功率半导体元件。
https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00
