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科锐推出第二代SiC功率mosfet

科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

科锐首次向日本公开208lm/w白色led产品

3月5~8日,科锐在东京展出了发光效率高达208lm/w的白色led产品“cree xlamp mk-r”。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130312/121928.htm2013/3/12 9:28:12

2012,衬底也疯狂

硅衬底取得突破性进展,SiC衬底芯片光效快速提升,而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012,衬底也疯狂。新世纪led网评测室特对led衬底2012年三雄逐鹿天下的历

  https://www.alighting.cn/pingce/20121230/123355.htm2012/12/30 17:15:32

kla-tencor发布新一代led晶圆检测机台wi 2280

据悉,此次kla-tencor公司推出的新检测机台是作为下一代led印刷(led patterned)晶片检查仪器,该机台完全适用于led晶圆的缺陷检测与led应用程序进行2d度

  https://www.alighting.cn/pingce/20121219/122009.htm2012/12/19 10:19:34

东芝宣布硅基白光led封装产品开始量产

led芯片的生产通常是使用昂贵的蓝宝石基片在2至4英寸的晶圆上完成。东芝与bridgelux, inc.已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓led的工艺,而东芝目前已将

  https://www.alighting.cn/pingce/20121217/121992.htm2012/12/17 9:42:51

科锐开发出直径150mm的n型4h-SiC外延晶圆

美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆,此次开发的晶圆厚100μm,可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18

东芝正式宣布8吋矽基板led将于10月量产

晶圆厂,预定于2012年10月开始量

  https://www.alighting.cn/pingce/20120726/122450.htm2012/7/26 11:17:51

aixtron推出新款aix g5+矽基氮化镓mocvd设备

aixtron近日推出最新产品aix g5+,为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备,可一次处理5片8吋晶圆

  https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19

led、SiC功率半导体——铁路节电新利器

新1000系采用了削减耗电量的技术。其中具代表性的是前部标识灯(前灯)和车厢灯采用的led照明。东京metro称,地铁前灯采用led“尚属首次”。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122144.htm2012/7/11 13:46:44

晶圆级碳纳米管技术项目——爱思强推出全新bm 300t碳纳米管系统

爱思强股份有限公司日前宣布,由欧盟委员会提供资金的technotubes(晶圆级碳纳米管技术)项目取得圆满成功,并演示了新型自动化生长设备bm300t。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120706/122234.htm2012/7/6 9:23:58

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