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美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
果。据研究小组介绍，使用c面时，电流放大率在室温下和250℃时，分别得到了439和165的高电流放大率。但是由于掺杂浓度小、耐压低的缘故，所以与原来的功率元件用SiC制bjt“不能笼
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋，约150mm的SiC底板，6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于led、高频元件及功率半导体元件。
https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出十款全新的高效率集成式motion-spm功率模块，适用于高达3kw范围的家用电器和工业电机应用。
https://www.alighting.cn/news/200797/V8323.htm2007/9/7 10:11:34
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。
https://www.alighting.cn/news/20131119/111789.htm2013/11/19 13:43:50
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“icscrm 2013”于日本宫崎县举行。多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～10
https://www.alighting.cn/news/20131009/111759.htm2013/10/9 16:50:25
科锐于近日宣布推出全碳化硅300a/1.2kv半桥式模块。这一新型模块采用业界标准62mm封装，在开关过程中能够比同等硅基方案减少5倍的能源消耗。这一目前最高等级的效率使得全碳化
https://www.alighting.cn/news/2014521/n343662407.htm2014/5/21 9:17:02
士兰微近日董事会审议通过了《关于控股子公司组建功率模块生产线项目的议案》，同意在控股子公司杭州士兰集成电路有限公司组建多芯片高压功率模块制造生产线。
https://www.alighting.cn/news/20101124/105363.htm2010/11/24 0:00:00
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
5月7日，cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一
https://www.alighting.cn/news/20190508/161832.htm2019/5/8 9:45:57
