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科锐推出业界首款1.7kv全SiC功率模块

科锐在继今年5月份推出全SiC 1.2kv半桥式功率模块之后,宣布推出业界首款全SiC 1.7kv功率模块,采用业界标准62mm封装,继续保持在SiC功率器件技术领域的领先地

  https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57

科锐推出第二代SiC功率mosfet

科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

科锐wolfspeed推出首个满足汽车aec-q101标准的SiC半导体器件系列

科锐(nasdaq: cree)旗下wolfspeed于近日宣布推出e-系列碳化硅(SiC)半导体器件。这一新型产品家族针对电动汽车ev和可再生能源市场,能够为车载汽车功率转换系

  https://www.alighting.cn/pingce/20180810/157984.htm2018/8/10 9:40:09

科锐首次向日本公开208lm/w白色led产品

3月5~8日,科锐在东京展出了发光效率高达208lm/w的白色led产品“cree xlamp mk-r”。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130312/121928.htm2013/3/12 9:28:12

科锐推出芯片型碳化硅功率器件 助力高效电力电子模组

科锐公司(nasdaq: cree)将继续引领高效率电子电力模组变革,宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅mosfet功率器件。科锐碳化硅zf

  https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36

科锐开发出直径150mm的n型4h-SiC外延晶圆

美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆,此次开发的晶圆厚100μm,可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18

科锐(cree)再推更高亮度xlamp高压led封装体

e led一样,此次新产品借助于sc3技术平台的强力支持。sc3技术平台是采用cree自家的碳化矽(SiC)技术,在led芯片结构及萤光粉技术上表现出优异的特性,同时采用了最新封装技

  https://www.alighting.cn/pingce/20120411/122609.htm2012/4/11 9:35:02

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