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实验利用磁控溅射方法,采用ZnO陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
基于密度泛函理论的第一性原理,分析了al-n共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了al-n复合体共掺ZnO的结合能,发现al-n复合体可以在ZnO中稳定存在,因此al-n共掺可
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的ZnO薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的ZnO薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少ZnO与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
