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利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
能。基于pc的检测系统智能化、自动化,实现了对led外延片的无损、快速、准确的在线扫描测量。欢迎下载学
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1066.htm2010/1/18 14:56:30
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00
早期在小积体电路时代，每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39
半导体照明产业是一个新兴产业,尤其是其上游led外延及芯片制造产业在中国更是近几年才迅猛发展起来,各led外延及芯片制造企业都是在企业发展的过程中,逐步探索质量控制的途径和方法。
https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
极(p极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
本文介绍了国产设备在led外延芯片生产线上的应用及发展趋势，详情请看下文！
https://www.alighting.cn/2015/2/3 17:09:23
本报告该部分的内容先对led外延和芯片做一个简单的技术介绍，按照不同技术对led外延和芯片技术做了详细分类，并通过定性、定量以及趋势图表的分析方法对led外延和芯片方面的相关专
https://www.alighting.cn/resource/20130508/125628.htm2013/5/8 17:04:39
