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目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基LED专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上gan基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基LED生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
目前国际上商品化的gan基LED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
https://www.alighting.cn/resource/20130801/125427.htm2013/8/1 15:47:37
近几年来，硅衬底gan基LED技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型LED器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
在si衬底上生长了gan基LED外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
本文为晶科电子(广州)有限公司侯宇先生所讲解之《半导体工艺和硅片衬底流程简介》，从半导体的角度去讲解硅片衬底，以及LED衬底的制作流程，通过这个教材会对半导体的加工流程和基本形
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126938.htm2011/10/31 20:11:17
