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提高led外量子效率的研究进展

文章简述了提高外量子效率的集中有效途径,如便面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射出结构、激光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光

  https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

基于双极传输母体的高效有机磷光发光器件

随后,forrest 小组将八乙基卟啉铂掺杂到小分子主体材料八羟基喹啉铝中制得了红色磷光有机电致发光器件,外量子效率达到4%。有机磷光电致发光器件能将单线态和三线态激子都用于发

  https://www.alighting.cn/resource/20141205/123969.htm2014/12/5 10:46:24

非等温模型下led芯片性能与衬底的关系

与其他两种衬底的led 芯片相比,以sic 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降

  https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37

ingan_gan多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

具有三角形ingan/gan 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

[研发故事] 率先让蓝色led发光的赤崎和天野(下)

构蓝色led。“1992年利用algan和gan双异质结(dh)二极管,实现了外部量子效率为1.5%的蓝色和紫色led,外部量子效率超过1%就达到了实用水

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

大功率led效率特性分析与驱动方案设计

本文考察了大功率led 量子效率衰落问题的研究进展并检测和比较了当前市场不同产品的大功率led性能,随着led 效率电流特性的逐渐改善,其最高效率所对应驱动电流开始超过额定电流。

  https://www.alighting.cn/2014/10/23 11:25:52

基于积分球的蓝光led荧光粉测试系统

采用出光筒控制光源方向和积分球收集光线,能有效防止能量损失,提高测试的精确性。通过实验得到了不同强度蓝光激发下的荧光粉光谱功率分布以及发光效能、量子效率、光转换效率等参数的变化规

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124216.htm2014/10/11 11:12:47

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率,从

  https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46

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