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采用量子点模型对蓝色ingan/gan多量子阱发光二极管电致发光光谱进行考察，并和实验测量结果进行了比对，结果发现，利用量子点模型计算出的自发辐射发光峰位与实验得出的电致发光的峰
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应，这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45
本文简单的介绍了量子阱（quantum well）的定义和简要的描述，希望能够给初学者借鉴。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128111.htm2010/12/31 11:31:05
提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(led)外量子效率的几种途径，生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
滑有序，借此来提升发光二极管(led)的量子效率。这项美国专利的申请将挑战目前led芯片厂的制程技
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
