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生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

解析封装芯片与裸芯的区别

气中去。以gaas材料与空气为例,在界面处芯片的全反射临界角θc约为14°,仅4-12%的光子能逸出到空气中,如果用折射系数为1.5的环氧树脂与芯片做截面,则其θc约为22.6°,

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/9/316851.html2013/5/9 15:28:37

人工欧泊填充inp后的形貌和反射谱特性

示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较

  https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41

过渡层对ge衬底gaas外延层晶体质量的影响

究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量gaas单晶层生长条

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

基于有限元法的发光二极管光学传播模型

源的相干性.由于计算的复杂程度,对模型进行了简化处理.把光子晶体结构的实验数据与仿真结果进行了对比,验证了模型的正确

  https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36

新型照明装置或将终结灯泡时代

许会怀疑,它的光线这么明亮,一定很费电吧?事实恰恰相反。由于“照明板”不像灯泡会发热散热,因此它反而更省电。研究人员介绍,“照明板”引用了特殊技术,能够把电能转换成光子能,因此它对电

  http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/5/7/316659.html2013/5/7 8:59:40

基于双光栅结构下特征参量与gan基led光提取效率的动态关系

为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29

低成本封装引领led第三波成长

直led架构、飞利浦依旧偏爱薄膜覆晶,然而他们也去除了蓝宝石晶体、cree使用不同的覆晶接线技术。虽然飞利浦使用晶球凸点技术,cree则使用低温溶晶,进一步降低成本,并更能增进接触热

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11

低成本封装引领led第三波成长

直led架构、飞利浦依旧偏爱薄膜覆晶,然而他们也去除了蓝宝石晶体、cree使用不同的覆晶接线技术。虽然飞利浦使用晶球凸点技术,cree则使用低温溶晶,进一步降低成本,并更能增进接触热

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58

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