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led芯片的光谱检测是led芯片规模化制造的一项关键技术。根据光谱测量原理，针对led芯片光谱测量应用的要求，文章研究了基于复杂可编程逻辑器件的led芯片光谱采集系统。
https://www.alighting.cn/2014/7/9 10:40:36
附件为上海市光电子行业协会2005年编写的《半导体照明(led)百题问答》，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/2014/7/8/182536_09.htm2014/7/8 18:25:36
当需要调节某一支路的时候，只要选通此支路进行调节就行了，此时，其它支路不受影响。
https://www.alighting.cn/resource/20140707/124466.htm2014/7/7 13:30:21
大、客户需求难满足或反应速度慢、市场推广成本高、客户接受度难提升、后期维护困难、维护成本高、部分器件失效导致整体失效等一系列问题。附件为《csa016-2014led照明应用接口要
https://www.alighting.cn/resource/2014/7/3/105245_75.htm2014/7/3 10:52:45
oled与pled材料共同的特性为共轭的化学结构，具有高度的荧光效率，唯两者的分子量差异相当大，小分子材料其分子量一般约在数百，而高分子则在数万至数百万之间。就材料的取得而言，小
https://www.alighting.cn/2014/7/1 11:33:51
针对led 提出了光电热寿命理论，该理论揭示了led 的输出光通量、输入电功率、结温以及寿命这4个参数之间的内在联系。
https://www.alighting.cn/2014/7/1 10:47:46
led 在应用中需要选择合适的驱动ic，这也是设计led 驱动线路的第一步，首先确定以下几个参数：需要驱动多少颗led;预计驱动电流值;允许的供电电压范围;其它特殊要求。
https://www.alighting.cn/2014/6/30 10:47:13
目前led 器件已达到的光效为150lm/w,与理论预测的指标300lm/w 还存着在很大的差距,光效仍有很大的提升空间。
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124484.htm2014/6/27 11:03:45
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电
https://www.alighting.cn/resource/20140626/124487.htm2014/6/26 10:36:57
部分的温度值，并对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明，理论计算值与热仿真结果基本一致，测量值也能很好地与理论计算值相吻
https://www.alighting.cn/resource/20140617/124506.htm2014/6/17 11:53:43
