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用冷却风扇强制空冷的散热鳍片上，根据德国 Osram oPTo semiconductors gmb 实验结果证实，上述结构的 led 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ，大
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232651.html2011/8/17 22:52:00
、雅虎、tom等在内的上百家主流媒体全程报道，活动阵容上更是吸引了philips、Osram、ge、cree、spark、bvled、cooper、thorn等在内的全球led巨
http://blog.alighting.cn/langshi/archive/2011/8/8/232015.html2011/8/8 14:39:00
3月22-26）2011巴西国际路桥及隧道建筑展览会（4月3-6日）2011西班牙国际工程机械与矿山机械展览会（4月）2011印尼国际工程机械展览会（4月13-16）2011年土耳
http://blog.alighting.cn/meixiaozhang/archive/2011/7/27/231022.html2011/7/27 17:43:00
0人，主要来自日本、韩国、中国、中国台湾、美国、印尼、新加坡、泰国、马来西亚、印度、瑞典、法国、德国等24个国家和地区。二、展览范围：1. 汽车、摩托车与电子信息和家电等产品所
http://blog.alighting.cn/meixiaozhang/archive/2011/7/27/231014.html2011/7/27 17:30:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230477.html2011/7/20 23:09:00
出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的Osram就是以这样的架构开发出「thin gan」高亮度led，Osram是在inga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230316.html2011/7/20 0:05:00
石基板上制作出凹凸不平坦的结构，这样或许可以提高光输出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的Osram就是以这样的架构开发出
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230298.html2011/7/19 23:50:00
纪90年代初推出“食人鱼”封装结构的 led,并于1994年推出改进型的“snap led”,有两种工作电流,分别为70ma和150ma,输入功率可达0.3w。接着Osram公司推出
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
此增加光反射后的散射角度,进而使取光率提升。或如德国欧司朗(Osram)使用sic材料的基板,并将基板设计成斜面,也有助于增加反射,或加入银质、铝质的金属镜射层。▲亮度提升的le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
率可达0.3w 。接着Osram 公司推出“power top led”, 是采用金属框架的plcc 封装结构,其外形图如图2 所示。之后一些公司推出多种功率led 的封装结构,其
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
