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在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
近期，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80测试数据。
https://www.alighting.cn/pingce/20131016/121679.htm2013/10/16 13:34:10
近日，句容江苏同人电子年产2100万片led蓝宝石衬底材料项目取得省发改委正式批复。项目总投资29853万美元，建筑物面积11.8万平方米，建设周期为2年。
https://www.alighting.cn/news/20120828/99316.htm2012/8/28 15:16:45
6月29日，三安光电收到福建省安溪县财政局《安溪县财政局关于拨付三安光电股份有限公司蓝宝石衬底项目财政补贴的通知》安财企[2012]207号文件，根据县政府加快培育高新技术新兴产
https://www.alighting.cn/news/20120702/113285.htm2012/7/2 11:33:14
链趋势，则将环绕在外延晶片、中功率器件、图形化衬底、通路、led背光应用等五大议题发
https://www.alighting.cn/resource/20130107/126199.htm2013/1/7 9:34:28
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
5月21日，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。
https://www.alighting.cn/news/20140522/110824.htm2014/5/22 10:11:13
