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1月8日，国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技
https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44
led产业在过去近10年的发展突飞猛进，led光源器件的性能呈台阶式上升且成本在不断下降，大部分光源领域基本上都被led所取代。那么，目前硅衬底led技术、市场现状以及未来发展趋
https://www.alighting.cn/news/20181227/159634.htm2018/12/27 10:15:52
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
5月21日，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。
https://www.alighting.cn/news/2014522/n787062438.htm2014/5/22 12:02:41
讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局，新世纪led网记者独家专访了晶能光电有限公司硅衬底led研发副总裁孙钱博
https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14
同参数的高温退火后,这些梯形台柱将变小,形成梯形纳米环,或分解为较小的纳米柱及其团簇结构等。分析表明:zno混合多晶薄膜的形成,以及表面纳米台柱的演变,与si(001)衬底、较低
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
内的创业版上市，以实现公司的飞跃性发展。推出的pss图形衬底片是led领域在未来8-10年之间无可替代的产
https://www.alighting.cn/resource/20120503/126583.htm2012/5/3 13:37:31
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
