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外延设备——mocvd设备简介

一份介绍mocvd设备的技术资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/10/30 14:41:44

veeco:至2014年高亮度led外延的成本降低至少四倍

2014年高亮度led外延的成本同2009年相比降低至少四倍。2009年高亮度led外延片的成本1美元/平方厘米,2014年将下降至0.2美元/平方厘米。

  https://www.alighting.cn/news/20100701/91867.htm2010/7/1 0:00:00

台led外延芯片产值续创新高

台湾led 外延、芯片第二季产值再度刷新上季产值,成长高达35%,亦创下历史新高水平。

  https://www.alighting.cn/news/2010818/V24804.htm2010/8/18 10:28:06

philipslumileds:采用6寸外延片已量产led

近日,philips lumileds宣布,已采用6寸(150mm)外延片量产led,每周可在较大基板上量产数百万颗氮化鎵发光二极体。

  https://www.alighting.cn/news/20101220/118873.htm2010/12/20 10:37:54

led芯片倒装焊技术

led芯片的倒装焊技术可以有效提高光效和可靠性。本文简要介绍下国内apt倒装焊技术的概况;

  https://www.alighting.cn/resource/20101129/128182.htm2010/11/29 16:41:55

王军喜:加大深紫外材料生长和器件应用的研究开发

未来主要研究目标是研究高质量的深紫外材料外延生长技术;高al组分algan材料生长技术和掺杂技术;深紫外led结构设计;波长300nm以下led器件芯片制作工艺和封装技术;面向医

  https://www.alighting.cn/news/20100512/85867.htm2010/5/12 0:00:00

si(001)衬底上闪锌矿zno的制备与分析

采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15

图形蓝宝石基gan性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

led外延片相关资料

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。

  https://www.alighting.cn/news/20091014/V21193.htm2009/10/14 20:44:55

2014年中国led外延芯片行业四大猜想

随着近几年投资产能的实现和企业产品的提升,2013年外延芯片产值将明显提升,外延芯片市场规模将超100亿元。进入2014年,led外延芯片行业将会朝哪些方向发展呢?小编总结出

  https://www.alighting.cn/news/20140113/87457.htm2014/1/13 10:03:32

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