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https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
cob，在电子制造业里并不是一项新鲜的技术，是指直接将裸外延片黏贴在电路板上，并将导线／焊线直接焊接在pcb的镀金线路上，也是俗称中的打线(wire bonding)，再透过封
https://www.alighting.cn/resource/20110826/127251.htm2011/8/26 9:56:45
在介绍led(发光二极管)工作原理及特性的基础上,围绕着如何提高光取出效率,增强散热等led产业中的议题,介绍了led产业链中衬底材料、外延生长、芯片制造、封装、荧光粉,以及驱
https://www.alighting.cn/resource/20110822/127269.htm2011/8/22 15:39:34
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
由于整个竖式led结构采用mocvd技术生长,这种技术不仅仅决定led的质量和性能,而且在很大程度上决定led制造的产量和成本。因此,mocvd生产率的优化和营运成本的减少是moc
https://www.alighting.cn/resource/20110801/127363.htm2011/8/1 9:44:07
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对生
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
