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蓝宝石表面处理对氮化光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59

蓝宝石表面处理对氮化光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53

氮化基高亮度 led核心专利与分析

  https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00

全球最大容量氮化mocvd反应器诞生

来自aixtron se公司官方网发布的消息,aixtron se最新推出的crius ii-l mocvd反应器将mocvd反应器的容量,生产能力和led生产成本都提升到新的高度

  https://www.alighting.cn/news/20110708/100348.htm2011/7/8 9:19:09

广:2011年营收目标挑战70亿元新台币

  https://www.alighting.cn/news/20110214/116074.htm2011/2/14 16:25:00

广光电采用aixtron ag的aix 2800g4 ht系统后实现高质高产

近日,aixtron ag公司表示,台湾高亮度led制造厂商广鎵光电利用其aix 2800 ht系统后,产量显着增加,产品质量优异。 huga optotech在其台中工业区工厂内

  https://www.alighting.cn/news/20071024/93803.htm2007/10/24 0:00:00

gan结构相变、电子结构和光学性质

运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构gan的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05

蓝光led 芯片透明导电薄膜ito退火工艺的研究

通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16

电子束辐照对gan基led发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进行

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

硅基gan能否战胜蓝宝石

在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅基gan基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有效

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25

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