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晶电正式进驻广董事会,广预计于q4申请股票上市

LED磊晶台厂广光电(8199)于日前在中科举行的股东临时会上进行董监改选。原本计划改选4席董事与3席独立董事,但因其中2席独立董事资格审查作业疏失,因此只选出了4席董事与1

  https://www.alighting.cn/news/20100907/116510.htm2010/9/7 9:14:39

[研发故事] 率先让蓝色LED发光的赤崎和天野(下)

赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下,制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色LED。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

gan基功率LED电应力老化早期的退化特性

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种le

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

广光电将持续转向高功率芯片及照明产品

黄兆年表示,广与首尔半导体合资成立的广和光电,其所生产的产品将透过首尔半导体布局全球通路,同时交互授权取得专利,而加入晶电集团有助于议价能力,确保上游料源,同时技术交流提升实

  https://www.alighting.cn/news/20110826/117316.htm2011/8/26 8:58:22

中科院宁波材料成功突破氮化物荧光粉合成技术

氮化物荧光粉绿色低成本技术的成功开发,将极大促进大功率LED照明器件及背光源显示等成本的降低,并将大规模加快我国半导体照明技术推广的进程。目前该技术已经申请了中国发明专

  https://www.alighting.cn/news/2011928/n709534755.htm2011/9/28 8:47:39

蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响

通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31

国产LED芯片与国际大咖的技术层次差异浅析

LED芯片走过前几年产能过剩引起的低迷期后,随着下游LED照明市场需求的起量,开始复苏。过去的2014年上半年,LED照明产业由于下游应用市场需求的快速增长,给整个上游带

  https://www.alighting.cn/news/20140708/87260.htm2014/7/8 10:58:59

LED外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

百亿LED项目成泡沫 彩虹蓝光艰难重启能走多远?

曾几何时,蓝光也曾意气风发,合肥项目的成功投产也曾让所有蓝光人挺直腰杆,信心满满,誓言要成为LED行业内的龙头老大。

  https://www.alighting.cn/news/20140916/88126.htm2014/9/16 10:01:56

全球掀起淘汰白炽灯浪潮 LED成热点

为减少二氧化碳等温室气体排放,应对全球气候变暖,各国掀起了淘汰低效能白炽灯的浪潮。

  https://www.alighting.cn/news/20131024/98586.htm2013/10/24 9:59:41

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