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本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结果
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
结果表明,理论计算值与热仿真结果基本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。
https://www.alighting.cn/2015/1/5 12:12:11
芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。
https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
在多年的设计理念中，认为简约的线条及铺排是最核心一环。简洁的设计才能真正的引人入胜，给人真正的享受；相反，太矫饰、繁杂的编排
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8789.htm2007/2/8 13:03:03
本资料，来源中国建筑科学研究院环能院副院长赵建平在贵阳某会议的报告，分享给大家，希望有所帮助。
https://www.alighting.cn/2015/1/16 15:04:11
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
