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d。rsh称为旁路电阻．主要由下列几种因素引起：如表面沾污而产生的沿着电池边缘的表面漏电流；沿着位错微观裂缝、晶粒间界和晶体缺陷等形成的细小桥路而产生的漏电流。rs称为串联电阻，系
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230330.html2011/7/20 0:11:00
、反向漏电流、反向击穿电压和静电敏感度等。热性能。照明用led发光效率和功率的提高是当前led产业发展的关键问题之一,与此同时,led的pn结温度及壳体散热问题显得尤为重要,一般用热
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230097.html2011/7/18 23:44:00
. 反向漏电流测试：反向漏电流在载入一定的电压下要低于要求的值,生产过程中由于静电、芯片品质等因素引起led反向漏电流过高,这会给led应用产品埋下极大的隐患,在使用一段时间后很容易造
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f的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20ma左右。d、逆向电压(vr)：施加在晶片上的反向电压。e、逆向电流(ir)：是指晶片在施加反向电压后,所产生的一个漏电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
、反向漏电流、反向击穿电压和静电敏感度
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229967.html2011/7/17 23:40:00
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能绝缘要求(加强绝缘要求)的具体电压要求;3.漏电流:对不同输出功率 都是不一样的具体要求;4.输入和输出参数要求;5.机械要求:包括输入线之间的距离,保险丝两个点之间的距离,变压
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229873.html2011/7/17 22:51:00
示,时序可以调整,以便应对不同的状态。任何情况下,延迟电容(图7电路图中的c5)必须为陶瓷型,以减小漏电流,低成本的电解电容不适合在这应用。如前所述,无需mcu的额外输入/输出即
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＜0 时pn 结加反偏压v= - vr 时，反向漏电流ir（v= -5v）时，gap 为0v，gan 为10ua。 （4）反向击穿区 v＜- vr ，vr 称为反向击穿电压；v
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
分三组，由s1-s3开关选择钟控和光控。杆内配控制箱。 5、控制系统： a、升降系统装有行程开关双重保护电路，电机控制系统具备漏电保护和过热保护功能。 b、灯具控制具备电
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