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氮化镓的格子缺陷很多却能够产生高辉度，主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构，使得组件的发光效率得以提高，进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化镓发光的奥秘，与提高发光效率的方法。
https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00
近日记者获悉，2015年度国家科学技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目。
https://www.alighting.cn/news/20151229/135757.htm2015/12/29 9:39:53
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
showadenkok.k公司宣布将会在日本千叶的工厂投资接近4100万美元来扩大基于氮化镓蓝光led的生产力达到2亿个单位每月。蓝光led芯片的产量也将会在今年底从3000万
https://www.alighting.cn/news/20070723/116626.htm2007/7/23 0:00:00
https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00
尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。这也意味着硅衬底的技术瓶颈几近突
https://www.alighting.cn/special/20160108/index.html2016/1/8 16:06:29
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
昨日，晶电（2448）控告广镓（8199）专利侵权案判决出炉！智财法院宣判晶电主张专利无效，广镓获得胜利。
https://www.alighting.cn/news/20090922/105602.htm2009/9/22 0:00:00
日本电子材料/零件商tamura已中止研发使用氧化镓(gallium oxide)基板的led。
https://www.alighting.cn/news/20160114/136389.htm2016/1/14 9:36:53
