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cree成为大众汽车集团fast项目sic碳化独家合作伙伴

2019年5月14日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – cree, inc. (nasdaq: cree) 作为sic碳化半导体的全球引领者,成为大众汽车集团(volkswage

  https://www.alighting.cn/news/20190515/161917.htm2019/5/15 13:46:06

衬底gan基led研究进展

由于具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

陈振:衬底gan基led最新进展

决方案:不同的衬底材料。其中,衬底被业界寄予了很高的厚望,不少大厂也在跃跃欲试,但仍然鲜有实质性的进展,并且在去年曾有媒体报道指出,衬底将“胎死腹中

  https://www.alighting.cn/news/20141216/85340.htm2014/12/16 11:15:29

5月营收冲刺2亿,led挑拣业务看好

随着探针卡业务逐步迈入旺季度,加上led检测设备出货依然畅旺带动下,旺(6223)(6223)5月业绩可望挑战新台币2亿元,将连续第二个月创单月营收历史新高纪录。旺4月在le

  https://www.alighting.cn/news/20080603/96412.htm2008/6/3 0:00:00

「精简极致 兼容优异」美芯晟推mt7886可控调光方案

日前,美芯晟推出精简极致、兼容优异的mt788x系列可控调光方案,该方案据称拥有低成本、高兼容性、体积小等一系列优势,“这是一款近乎完美的可控调光驱动,以最佳的兼容性和极精

  https://www.alighting.cn/pingce/20160328/138480.htm2016/3/28 11:00:43

科锐推出低基面位错4h碳化外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38

江风益:需解决衬底做led芯片几大关键技术

从现有水平看,衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术,包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

  https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00

比利时采用基氮化鎵开发大功率白光led

日前,比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(gan)技术成本,采用大直径的

  https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00

电泵浦激光器项目挑战iii-v 族光电材料

2006年8月4日,麻省理工学院(mit)微光学技术中心开始一项360万美元、挑战 iii-v 族光电材料的“芯片级纳米光电系统用电泵浦激光器”项目,此项目为美国国防部投

  https://www.alighting.cn/news/20060809/102199.htm2006/8/9 0:00:00

重庆超2~6英寸led用蓝宝石项目正式投产

经过一年多建设,重庆两江新区重大高新技术产业项目——重庆超2~6英寸led用蓝宝石及8英寸集成电路用片抛光项目一期在水土高新园正式投产。该项目全部达产后年产值将达37亿元,两

  https://www.alighting.cn/news/20130307/112904.htm2013/3/7 9:32:46

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