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采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53
工防水层、及其它防渗防水膜层焊缝检漏仪（真空罩检漏仪，土工膜双焊缝测漏针，薄膜焊缝检测拉力机）。在电镀槽、化学贮罐、塑料管道、塑胶地板等塑料焊接中，塑料焊接的质量显得非常重要，往往
http://blog.alighting.cn/184164/2013/5/29 11:26:43
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
注,社会影响力很大,业界参与热情很高,现阶段的效果不错，还具有较好的聚合力。以前，照明各领域的人相关度、相知度不高,例如搞工程设计的与搞产品的人不认识、不熟悉,通过该活动认识和了
http://blog.alighting.cn/lizili/archive/2013/5/21/317671.html2013/5/21 11:08:13
括芯片结构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进，led 在光效方面实现了巨大突破。薄膜芯片技术是超亮 led芯片生产中的核心技术，能够减少各侧面的光输出损耗，并能借
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
