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采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90～100 lm/w之间,但
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56
驱动led主要在于控制它的电流。无论是直接增、缩驱动电流，还是占空比(pwm)减小开关时间比，均是控制电流方式，但达到的目的却不相同。本文将阐述不同的驱动在不同应用中的区别。
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127245.htm2011/8/29 15:02:11
为产品带来独特的竞争优势，证明比同类产品具备更高的能效和符合安全要
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127292.htm2011/8/19 14:59:21
取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127306.htm2011/8/16 11:59:32
与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现alp-lo/to的相对强度比可以评定晶体algainp mqw的生长质
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127308.htm2011/8/16 11:30:27
众多的荧光灯电子镇流器的设计人员，往往更多地关注电子镇流器的功率因数、谐波、灯电流波峰比以及emi指标，作为强制性认证的关键指标，则往往没有引起设计者的足够关注。笔者按电子镇流器
https://www.alighting.cn/resource/2011/8/12/165859_04.htm2011/8/12 16:58:59
以选择色温以及绿色无污染等特点，不仅比传统的以高压钠灯为光源的道路照明节能30%以
https://www.alighting.cn/resource/20110811/127324.htm2011/8/11 15:35:26
