站内搜索
它生长速率很快(一分钟一微米以上),不能生长量子阱、超晶格等结构材料,在八十年代被mocvd、mbe等技术淘汰。然而,恰是由于它生长速率快,可以生长氮化镓衬底,这种技术又在“死灰复燃
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocvd生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的基本原理是,在一块加热
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新台阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
用直流驱动要根据具体情况而定。如果用脉冲驱动发光管,一般不会缩短发光管的使用寿命发光管是一种量子器件适合高速工作,这正是发光管的优点之一。如果有闪烁使用的发光管频频损坏,那应该是其
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00
磊晶技术迅速发展之下,经由选择高纯度的单晶原料,再由适当温度控制及精确地掌握各组成元素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00
线,满足人们对变换彩光的喜好。为了避免电能浪费,使用市电做led驱动 电源 应采用电容器做降压限流元件 。 用洗衣机电机所配的常规4.7μ/ac400v电容器做降压限流元件可提供32
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229886.html2011/7/17 22:56:00
%的理论转化率。 对于此款基于胶体量子点(cqd)的高效串接太阳能电池目前也只有简单的介绍，这款电池是由加拿大首席纳米技术科学家、多伦多大学电子与计算机工程系教授泰德·萨金特领
http://blog.alighting.cn/locrow/archive/2011/6/30/228378.html2011/6/30 16:25:00
多争论， 但是加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究者们说他们利用量子机械计算方法找到了这个现象的形成机制。 他们总结到，led光衰(led droop)是由俄歇复合(auge
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00
光灯。 他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很多争论， 但是加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究者们说他们利用量子机械计算方法找
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00
