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有源oled驱动电路的研究与设计

本文介绍了有源oled的像素驱动电路,分析了彩色灰度实现方法,提出了时间子场的数字灰度技术结合数字像素电路的驱动电路设计方案。

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125607.htm2013/5/14 11:32:35

gan蓝光led外延材料转移前后性能

利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转移

  https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12

蓝宝石衬底的图形化技术在ganled上的应用

针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题,蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配,直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下,大部分光被限制在led芯片内

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14

si衬底ganled理想因子的研究

首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时si

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

mocvd生长gan蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量比是

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

氮化镓高亮度 led核心专利与分析

  https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00

大功率led芯片制造方法

我们知道,大功率led灯珠主要构成器件为大功率led芯片,如何制造高品质led高功率晶片至关重要。今天就带大家一起来了解常见的制造大功率led芯片的方法有哪些。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/11/21/105135_80.htm2013/11/21 10:51:35

led散热途径分析与改善趋势

一般而言,led发光时所产生的热能若无法导出,将会使 led结面温度过高,进而影响产品生命周期、发光效率、稳定性,而 led 结面温度、发光效率及寿命之间的关系,以下将利用关系图作

  https://www.alighting.cn/resource/2014/1/9/114630_54.htm2014/1/9 11:46:30

元器件础知识:常用电容器的分类和特点

本文介绍了常用电容器的分类和特点,详情请看下文!

  https://www.alighting.cn/2015/3/5 14:36:42

线性wled驱动器在lcd背光中的应用

为这些屏幕供电就像许多工程的挑战一样,根据具体应用形成了各种各样的解决方案。在便携式显示器背光市场,一种更新、更智能的解决方案将彻底改变lcd屏幕的照明方式。本文将讨论当今市场中比

  https://www.alighting.cn/2014/9/16 14:00:09

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