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影响led散热的主要因素包含了led晶粒、晶粒载板、晶片封装及模组的材质与设计，而led及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出，所以led晶粒 基板及led晶片封装的设计
https://www.alighting.cn/2012/8/31 16:13:49
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的led技术展开，到硅衬底led的
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/20/16107_21.htm2012/6/20 16:10:07
摘要：结合功率型gan基蓝光led芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
导读：大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/resource/2012/5/20/214917_67.htm2012/5/20 21:49:17
结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
镇流、金卤灯综合测试系统介绍、金属卤化物灯的发展概况和趋势、欧标&美标金属卤化物灯电感镇流器及其发展研讨会、浅析我国金卤灯发展现状及未来展望、陶瓷金卤灯的发展及关键技术、陶瓷金卤
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/23/144335_05.htm2012/4/23 14:43:35
为改善gan 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
本文主要介绍日本夏普cob集成光源技术的特点，因夏普产品在全球有较好的应用，所以，整理推荐大家阅读。
https://www.alighting.cn/2012/3/30 18:06:16
