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低温cvd法在玻璃上制备zno纳米线阵列

采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

图形化led芯片的技术研究

本文的主要研究内容涉及图形化对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

晶能光电宣布硅大功率led通过lm80测试

近期,晶能光电宣布其硅大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80测试数据。

  https://www.alighting.cn/pingce/20131016/121679.htm2013/10/16 13:34:10

sigan基蓝光led钝化增透膜研究

在sigan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。

  https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30

gan基ledn极性n型欧姆接触研究

在sigan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

图形化(pss)刻蚀设备工艺研究进展

图形化(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质,使得很难进行刻蚀和图形化制作。

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31

句容led蓝宝石材料项目获江苏发改委批复

近日,句容江苏同人电子年产2100万片led蓝宝石材料项目取得省发改委正式批复。项目总投资29853万美元,建筑物面积11.8万平方米,建设周期为2年。

  https://www.alighting.cn/news/20120828/99316.htm2012/8/28 15:16:45

gan基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅gan基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

三安光电蓝宝石项目获6000万元财政补贴

6月29日,三安光电收到福建省安溪县财政局《安溪县财政局关于拨付三安光电股份有限公司蓝宝石项目财政补贴的通知》安财企[2012]207号文件,根据县政府加快培育高新技术新兴产

  https://www.alighting.cn/news/20120702/113285.htm2012/7/2 11:33:14

转移基板材质对sigan基led芯片性能的影响

在si上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

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