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延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在，金属有机物化学气相淀积(metal-orGaNicchemicalvapordeposition，简称 mocvd)技术生长iii-v
https://www.alighting.cn/news/2009118/V21609.htm2009/11/8 15:37:27
led磊晶矽基板技术能否取代蓝宝石基板的主流地位，一直是过去几年led产业争论焦点，随着蓝宝石价格回到合理范围，矽基板的价格成本优势减弱，加上矽基板有吸收可见光的缺点，良率问题一
https://www.alighting.cn/news/2013531/n116452373.htm2013/5/31 17:34:33
随着led应用市场的需求提升，大尺寸蓝宝石基板的导入渐成产业趋势，led蓝宝石基板厂兆晶董事长谢建福表示，4吋蓝宝石基板的需求将从2011年下半开始加快成长，2012年的led磊
https://www.alighting.cn/news/20110602/90469.htm2011/6/2 10:53:54
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法，系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质，对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%，预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖，并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高GaN基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色led组件。利用GaN系半导体的蓝色led组件及绿色led组件现已达到实用水平，但试制出红
https://www.alighting.cn/news/20090707/120831.htm2009/7/7 0:00:00
随着硅基板技术日渐成熟，由于成本以及电性考量，大厂开始尝试使用非蓝宝石基板技术来打造led。led业者认为，短期内硅基板led在规格及亮度表现仍显不足，与蓝宝石基板还是有落差，但
https://www.alighting.cn/news/20121108/88977.htm2012/11/8 15:09:46
本文概述了几种常用陶瓷基板材料的差异、以及在uv led应用领域中的重大意义。指出氮化铝陶瓷基板综合性能最好，是uv led理想的基板材料。
https://www.alighting.cn/news/20200623/169278.htm2020/6/23 10:39:50
