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新型通孔硅衬底GaN基led结构的电流扩展分析

为了降低si衬底GaN基led的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

首尔半导体加入GaN基板阵营,npola性价比高动摇蓝宝石基板地位

唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营,或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制,较大部分芯片资源来自集团外部,因此成本不具竞争力,在韩系三巨

  https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36

2011年GaN led市场仅增长1% 至87亿美金,企业利润不容乐观

经过2010年60% 的高速增长,ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓,仅增长1% 至87亿美金。主要原因有:占据 60% GaN led营收的背

  https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49

iqe收购英国GaN新创企业nanoGaN

对nanoGaN的收购将帮助iqe加快先进的蓝光/绿光半导体激光器和固态照明产品的上市步伐。

  https://www.alighting.cn/news/20091010/116607.htm2009/10/10 0:00:00

三菱研发出绿色雷射GaN基板 成本降九成

据日本经济新闻报导,三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出,从上述晶体切割出的基板其制造成本仅

  https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04

蓝宝石图形化衬底的GaN基led大功率芯片的研究和产业化

本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底,在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提

  https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44

蓝光led光子晶体技术原理及制程详解

为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利,各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术,目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的,但是,uv led 仍旧有

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31

高效率光子晶体发光二级管led

石制程,发光芯片(inGaN)与硅、铜、氮化镓(GaN)、钼、碳化硅(sic)热沉芯片贴合,其特征在于,将发光芯片的透明电极(ito、ruo2、zno及nio)表面做成光子晶体(周期

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00

[名词] 氮化镓|GaN

GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结

  https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00

蓝宝石项目晶体生长技术研究报告

这份是专门针对全球及中国蓝宝石晶棒产业的深度报告,研究中心采用客观公正的方式对蓝宝石晶棒产业的发展走势进行了深度分析阐述,方便客户进行蓝宝石晶棒行业发展规划,投资决策,本项目在运作

  https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:46:44

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