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研究了利用荧光颜料和InGaN蓝光芯片制成掺杂led,根据光转换原理,得到白光led的可能。文章首先对比了普通方法和二次点胶法封装的led,表明二次点胶法工艺复杂,封装的led亮
https://www.alighting.cn/resource/20130402/125779.htm2013/4/2 16:10:14
平光效可以达到276lm/w。在led芯片成本下降和光效提升的这一竞赛中，目前正遇到以下几个发展瓶颈。 第一是蓝光芯片存在的droop效应。在大电流密度条件下，发光二极管的外量
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
目前，国际led大厂在大功率蓝光芯片方面有着较为明显的优势，而国内led芯片企业目前主要是在中小功率蓝光芯片方面有较大的发展，但由于前几年的过度投资引起了产能过剩，导致中小功率蓝光
https://www.alighting.cn/news/20130329/88386.htm2013/3/29 10:02:52
固体白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源。要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术,把InGaN半导体管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外
https://www.alighting.cn/resource/20130327/125807.htm2013/3/27 14:05:59
由深红色光谱区域调谐至橘黄色的光谱区域，外量子效率亦可达1.1%。值得一提的是，制成的硅基发光二极管具有令人惊讶的长期稳定性，这在此前从未实现过。操作组件寿命的增长是因为只采用了同
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29
分蓝光光子则量子下转换为黄光，所以白光led 光源输出蓝、黄光混合的准白
https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/164753_30.htm2013/3/20 16:47:53
https://www.alighting.cn/resource/20130308/125928.htm2013/3/8 11:19:09
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机制
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
源比起来，二色性滤镜由于放置在光源前部而承受相对较低的热压，受使用时间的影响更小。2．光辐射的化学效应光化学作用是使物质分子发生化学变化的过程，变化的激活能量来自于对光子（光量子电磁
http://blog.alighting.cn/akzu/archive/2013/2/21/309893.html2013/2/21 14:48:46
