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以通过增减占空比，控制脉冲一个周期的平均值。运用该原理，如果能控制电路上的开关设计（半导体管、MOSFET、igbt等）的打开时间（关闭时间），就能够调节led电流的效率。这
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119305.html2010/12/9 14:13:00
出高电平时，电感或变压器原边电感的储能将直接传给led串，而当功率MOSFET关断时，储存在电感上的能量将会转换为led的驱动电流。 当vdd电压大于uvlo时，gate端可以输
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133822.html2011/2/19 23:15:00
非隔离、连续／非连续等多种类型的转换器。当gate端输出高电平时，电感或变压器原边电感的储能将直接传给led串，而当功率MOSFET关断时，储存在电感上的能量将会转换为led的驱动电
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133838.html2011/2/19 23:22:00
i的linkswitch-tn lnk306dn集成功率转换ic中含有一个完全集成的700 v功率MOSFET，因而无需外部电源器件。离线式非隔离降压拓扑结构可以在连续导通模式下以66 kh
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133848.html2011/2/19 23:29:00
个电阻器和一个电感器。而一般白色led驱动器是集成MOSFET。 白色led驱动电路由白色led驱动器和外围电路(包含晶体管、二极管、电感器、电容器和电阻器等)组成。驱动白
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
z左右。根据模拟比较器的输出结果(acmp)，mcu在闭环中调整pwm的占空周期，以保证hbled驱动电流为恒定。由于p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)被用来作为功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
率MOSFET，简化设计。 *通过控制输入，利用低频pwm信号调节亮
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134143.html2011/2/20 23:05:00
率的MOSFET(场效应管)转换开关；断电期间关断led；工作状态下所使用的小输出电容可低至220nf。图1(a)为tps61061为4个单白光led供电示意图 2.22应用范
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134155.html2011/2/20 23:09:00
算： 式中：il1(pk)为l1的最大峰值电流。 hv9931的pwmd脚连接到vdd，栅极驱动器使能，电路正常工作。若pwmd脚接地或开路，栅极驱动器截止，MOSFET(q
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134166.html2011/2/20 23:15:00
高系统的性价比，因为多数sot23封装的ldo带有关断控制，从而省去了图1电路中控制led通/断或pwm亮度调节的n沟道MOSFET。另外，ldo还具有较宽的输入电压范围，当与其它电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/19/179638.html2011/5/19 0:23:00
