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利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
5(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.8)系列,利用xrd和荧光光谱仪等对其进行了研究.结果表明这系列荧光粉可以被近紫外光(396nm)和蓝光(466nm)有
https://www.alighting.cn/2011/10/24 15:09:16
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出P型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。P型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化P型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
χ =1 5 .8°出现了新的衍射
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的P型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
采用溶胶-凝胶法合成了发光二极管(led)用的系列红色荧光粉li3ba2ln3-xeux(moo4)8(ln=la,gd,y)。利用差热-热重(tg-dta)分析和粉末x射线衍
https://www.alighting.cn/2011/9/26 14:27:18
《酒店照明灯具产品知识培训》以灯具的某一个基本元素（灯头外观、结构）作为产品系列划分的依据。分类：1、不同的安装方式(嵌入式、吸顶式、吊装式)；2、不同的光源(g12 、g8.
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/23/153631_03.htm2011/9/23 15:36:31
实验采用碳酸锂、氧化钨、氧化铕制备了lieuw2o8发光粉,通过扫描电镜和光谱仪分别研究了它的形貌与光谱特征。结果显示:lieuw2o8发光粉的激发光谱较宽,非常适合于近紫外、蓝
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16
