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寸体单晶生长极为困难，现在所有成熟的器件都是以蓝宝石或SiC异质衬底为基础的。但从晶格匹配和电导、热导特性上看，蓝宝石还不是理想的异质外延衬底，而SiC衬底与gan之间虽然晶格失
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
七、扩展结合工艺： 扩展结合工艺跟插齿工艺有些类似，先将铝或铜板做成鳍片，在高温下将鳍片插入带沟槽的散热器底部，不过扩展结合工艺在插入鳍片的同时还要塞入一个短铜片以产生过
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133446.html2011/2/18 14:22:00
且由于铝挤压技术含量及设备成本相对较低，所以铝材质很早就应用在散热器市场。铝挤技术简单的说就是将铝锭高温加热至约 520~540℃，在高压下让铝液流经具有沟槽的挤型模具，作出散热片初
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133425.html2011/2/18 13:47:00
界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、SiC和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
只能是普通的半圆柱型，顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽(图4) 图4 中空铝管的半塑半铝的led日光灯灯管 这种半圆柱的表面积为：2πr*h/2=πr*h。对
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127071.html2011/1/12 17:15:00
长在蓝宝石或SiC衬底上，但是这两种衬底部都比较昂贵，尤其是碳化硅，而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点，人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
.也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 c）点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米，晶片热阻可降低20%，但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外，若将kchip值提高至280w/mk(SiC)，晶片热阻可降低87.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（gan）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
