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激光剥离技术实现垂直结构ganled

为改善gan 发光二极的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan led 从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

“硅镓氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓蓝色发光二极,处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

稳压二极体和led的搭配

led( light emitting diode,发光二极)的光电转换效能高,其本结构是一块电致发光的半导体晶体,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,作为保护内

  https://www.alighting.cn/resource/20090323/128849.htm2009/3/23 0:00:00

什么是led数位?

led数位(数码)是一种半导体发光器件,其本单元是发光二极体。数位按段数分为七段数位和八段数位,八段数位比七段数位多一个发光二极体单元(多一个小数点显示);

  https://www.alighting.cn/resource/20090506/128854.htm2009/5/6 0:00:00

美国cree拟于2009年开始供应SiC底板

美国cree表示,计划于2009~2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸,很多元器件厂商均要求供应这种口

  https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色[1]

SiC和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体。下

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

半导体发光二极芯片测试方法

led 芯片测试方法还没有相应的标准,这样led芯片作为产品交货时,缺乏相应的技术要求来规范产品的质量等级和性能要求。

  https://www.alighting.cn/2012/5/7 11:07:07

russell d. dupuis:用于固态照明应用的高亮度绿光发光二极

乔治亚州技术研究所半导体中心的russell d.dupuis教授介绍了高亮绿光led的应用,以及他的绿光led的最新研究成果:通过改善绿光led w/ p型氮化镓铟空穴注入和联系

  https://www.alighting.cn/news/20080801/104243.htm2008/8/1 0:00:00

sj/t 11399-2009 半导体发光二极芯片测试方法

本标准主要规定了电学参数、热学参数、色度学参数以及静电放电敏感性测试等主要性能参数的测试方法。

  https://www.alighting.cn/news/20111027/109397.htm2011/10/27 14:31:33

qbt 4057-2010 普通照明用发光二极性能要求

本标准由中国轻工业联合会提出。本标准由全国照明电器标准化技术委员会(sac/tc224)归口。

  https://www.alighting.cn/news/20101125/109758.htm2010/11/25 15:46:09

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