站内搜索
5月7日，cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一
https://www.alighting.cn/news/20190508/161832.htm2019/5/8 9:45:57
本文对大功率发光二极管（led）照明灯具的灯具效率进行分析是设计灯具时必须完成的一项工作。led灯具和使用传统光源灯具的光学设计方式是不同的，如何利用led光源自身的特点来提
https://www.alighting.cn/resource/20091127/V1025.htm2009/11/27 14:42:08
美国大型SiC底板厂商科锐（cree）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ecscrm）”上，以“defect control in si
https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00
为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
led( light emitting diode，发光二极管）的光电转换效能高，其基本结构是一块电致发光的半导体晶体，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，作为保护内
https://www.alighting.cn/resource/20090323/128849.htm2009/3/23 0:00:00
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
led数位管(数码管)是一种半导体发光器件，其基本单元是发光二极体。数位管按段数分为七段数位管和八段数位管，八段数位管比七段数位管多一个发光二极体单元（多一个小数点显示）；
https://www.alighting.cn/resource/20090506/128854.htm2009/5/6 0:00:00
与SiC和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
led 芯片测试方法还没有相应的标准，这样led芯片作为产品交货时，缺乏相应的技术要求来规范产品的质量等级和性能要求。
https://www.alighting.cn/2012/5/7 11:07:07
