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利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
管(led)外延片;最终,进行芯片制造和测
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
设计了一种新型的带有百叶窗的平板式大功率发光二极管(led)照明装置。该装置采用高导热系数的铝基板作为多颗大功率led的散热电路板,用0.4mm的铝片作为散热翅片,结合沟槽式微热
https://www.alighting.cn/resource/20130410/125748.htm2013/4/10 13:14:29
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
一份《led芯片知识大了解》资料，分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:32:14
化过程中芯片和封装材料的退化共同导致了led的缓变失
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
本文提出了一种基于mems的led苍片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响，分析结果表明废反射
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan-led外
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
一份由潘述栋整理的《led晶片认识》，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45
