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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

全球八大led芯片制造商

全球八大led芯片制造商 1,cree   著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00

led产业变革加剧 高压芯片推广亟须产业链配合

目前hv芯片还没有大面积普及,封装企业对hv芯片的需求较少,而hv芯片配光应用的整体方案才能突显hv芯片的优势。因此,hv芯片的制作与生产只是其中一个方面,更重要的是与设计、封装

  https://www.alighting.cn/news/2013715/n810453757.htm2013/7/15 9:46:49

cree芯片smd 3528 5050 3629 5050 led

全避专利led,采用美国cree芯片+日本专利荧光粉=全避专利led,可以出口日本.欧美等全世界,如果有专利纠纷我司全全负责 cree芯片smd 3528 5050 3629可

  http://blog.alighting.cn/pzc1222/archive/2009/12/22/22015.html2009/12/22 19:31:00

全球led芯片品牌名单汇总

台湾led芯片厂商:  晶元光电(epistar)简称:es、(联诠、元坤,连勇,国联),广镓光电(huga), 新世纪(genesisphotonics),

  http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55

led多芯片集成功率光源及发展趋势

摘要:多芯片集成是大功率光源的实现形式之一。本文归纳了多芯片集成功率光源的优点和缺点,分析了需要解决的主要技术问题,展示了目前的进展,提出了对未来走向的看法。 目 录 实

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133864.html2011/2/19 23:34:00

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