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基于avr的led数字大屏幕的设计与实现

*16点阵来显示,而双字节数据时如汉字是按16*16点阵来显示的)。这里统一使用8*16点阵,这就需要对其转换。下图左表格表示的是汉字编码在字库内存放顺序,右表格表示的是经过转换过

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134161.html2011/2/20 23:13:00

温度对led的影响分析

 (1)led芯片材料内存在的缺陷在较高温度时会快速增殖、繁衍,直至侵入发光区,形成大量的非辐射复合中心,严重降低led的发光效率。另外,在高温条件下,材料内的微缺陷及来自界面与电

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00

led光源钱景未来, 与我们的生活不离不弃

向普及化的产品。而且,这一普及的过程应该是非常迅速的。led光源产业属于传统的半导体产业,与内存、cpu等半导体器件的产业工艺和格局非常相似。同时,led产业的集中度,尤其是上游和中

  http://blog.alighting.cn/brucetuan/archive/2011/7/14/229684.html2011/7/14 15:49:00

基于avr的led数字大屏幕的设计与实现

6点阵来显示,而双字节数据时如汉字是按16*16点阵来显示的)。这里统一使用8*16点阵,这就需要对其转换。下图左表格表示的是汉字编码在字库内存放顺序,右表格表示的是经过转换过

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230480.html2011/7/20 23:11:00

基于avr的led数字大屏幕的设计与实现

来显示,而双字节数据时如汉字是按16*16点阵来显示的)。这里统一使用8*16点阵,这就需要对其转换。下图左表格表示的是汉字编码在字库内存放顺序,右表格表示的是经过转换过后的编码存

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232669.html2011/8/18 1:24:00

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

ipad 3将在2012年现身? 背光用led颗数提高一倍

d 2使用的为1ghz版本,三星i9100采用类似架构的处理器则是1.2 ghz),透过时脉加速,再把ipad内的内存由512mb加大至1gb或更大容量,以满足所需的运算速度也不无

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/7/235968.html2011/9/7 21:45:28

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

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