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大,例如焊锡的不饱满,焊锡本身质量存在问题等等,都会产生严重的泄漏路径,从而造成毁灭性的破坏。另一种故障是由于节点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时所引起的。静电的脉冲能量可
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00
发光二极管led (light emitting diode)是一种可将电能转换为光能的能量转换器件,具有工作电压低,耗电量少,性能稳定,寿命长,抗冲击,耐震动性强,重量轻,体积
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
达40ma的电流。电容式电荷泵电荷泵利用电容来存储能量,可以把输入电压提升到1、1.5或 2倍。通过一个开关阵列和一个时钟,电容可以交替性地进行并联充电和串联放电,从而提高输出电压。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229957.html2011/7/17 23:35:00
们的选用范畴。从发光原理上来看,由于led是由数层很薄的掺杂半导体材料制成,一层带有过量的电子,另一层则缺乏电子而形成带正电的“空穴”,工作时电流通过,电子和空穴相互结合,多余的能
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229973.html2011/7/17 23:42:00
1～1020/cm3范围。2.4gan的光学特性人们关注的gan的特性,旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。maruska和tietjen首先精确地测量了gan直接隙能量为3.39e
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
层和穿过膜层的电流密度,,x指向为芯片电极表面到压焊点,为膜层中z方向任意点的势垒,e是垂直芯片电极表面速度为vx电子的能量。图2为在电场f’作用‘f芯片电极表面的势垒图,其中ef为费
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00
供理想的双端电流源；为led亮度调节提供高频pwm控制；对直接引入的射频能量具有抗磁化特性；具备高等级的静电抗干扰能力。用耗尽型n沟道场效应管替换图1电路中的190欧姆电阻便可成为
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230154.html2011/7/19 0:13:00
当功率mosfet关断时，储存在电感上的能量将会转换为led的驱动电流。当vdd电压大于uvlo时，gate端可以输出高电平，此时电路将通过限制功率管电流峰值的方式工作。将外部电流采
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230162.html2011/7/19 0:19:00
边电感的储能将直接传给led串，而当功率mosfet关断时，储存在电感上的能量将会转换为led的驱动电流。当vdd电压大于uvlo时，gate端可以输出高电平，此时电路将通过限制功率
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230290.html2011/7/19 23:43:00
光源外，如果通用照明的市场开始启动，则白光led的市场会有较大的市场潜力，白光led估计从2004年开始，市场能量会逐步释放，需求会逐渐加大。 在现阶段，白光led的应用，在照
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