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低电流阈值(如300ma)时，开关将导通，而当电流升至高电流阈值(如400ma)时，开关将断开。 此例中开关置于低端(该方法因此得名)，实现方法非常简单。导通fet只需在其门
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
a emi标准。 设计目标 本设计用于为一串额定电流为300 ma的三个hb led(相当于10w的标准白炽灯)供电。在正常工作情况下，输出电压被串联led的正向压降箝位
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133848.html2011/2/19 23:29:00
4是采用bicmos工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8v(dc)到450v(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300 khz的固定频率驱动外
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133838.html2011/2/19 23:22:00
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封装形
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
用bicmos工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8v(dc)到450v(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300khz的固定频率驱动外部mos-fe
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133822.html2011/2/19 23:15:00
大脉动。第一整流器是一种廉价的40v的肖特基二极管，第二个是一个简单的额定为120v的信号二极管。 ic1运转在r1设定的转换频率约为300千赫上。设计采用了一种斜率补偿的电流模
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133810.html2011/2/19 23:08:00
格包括可在1~3.3v输出时实现高达97%的转换效率。一个降压转换器可应对1.2a的负载，另一个可应对900ma的负载。四个ldo支持500ma、300ma和两个150ma负载。输
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133795.html2011/2/19 23:02:00
