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他应用9%,第五位是照明5%。第六位是信号产品2%。 相对于美国市场精确的调查数据,目前国内尚未有此方面的调查报告,但led在照明方面的强劲势头可谓锐不可挡,相对于基本饱和的电子数
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
4lm/w,荧光灯50~70lm/w),而且其光的单色性好、光谱窄,无需过滤可直接发出有色可见光。 2、耗电量少 led单体功率0.03~0.06w,采用直流或脉冲直流驱动,单
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而低粘度化的主要目的就是降低封装树脂的内应力,使其具有高填充性和可靠性,以使封装器件具有高可靠性。可采用的方法主要有三种:(1)降低封装材料的玻璃化温度;(2)降低封装材料的模
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物红色荧光粉的发射光谱。在不同的铕含量下,发射光谱的形状和发射峰位置几乎没有变化。但发射强度随着铕含量的增加,先增强后减弱,最强发射时铕含量为0.1%左右。图2为这些荧光粉的激发光
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高光效的新型结构,如图2所示,惠普公司1994年研制的这种透明衬底结构在技术含量和性能水平上均居世界之冠,其低功耗型达到100流明/瓦,功率型的倒梯形结构的发光效率达到了50流明/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
效提高器件的可靠性。 2.3 P型欧姆接触退化 在gan基led失效分析过程,对比器件退化前后的i-v特性[14](图2)发现,已退化器件的寄生串联电阻增加使得相同电压偏置下的正向电
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常小巧的整体解决方案尺寸使其非常适合移动手持终端与便携式背景照明应用。 该器件的工作温度 tj 规定在 -40°c ~ +85°c的整个范围内。 具备 2% led 到 le
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备。2.氢化物汽相外延片(hvPe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜,可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶ga
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led萤光粉配胶程序是led工艺中,相当基础的一环,我们来看看是怎么做的。 准备工作: 1、开启并检查所有的led生产使用设备(烤箱、精密电子称、真空箱) 2、用丙
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以P管s1和n管s4为例,计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求,单个管子的宽长比w/l可以设定为2.8μm/0.6μm。假设s1的宽长比为x(w/l),s4的宽长比为y(w/
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