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利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
片有良好的外延关系
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
“因为研发及生产外延片、芯片的技术与资金门槛较高，封装成为了国内几乎所有led企业起步阶段的选择，但这种拿来主义的做法也为企业深入了解led行业提供了便利”，韩光宇说。2000
https://www.alighting.cn/news/2011310/n576430638.htm2011/3/10 20:13:16
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
c单晶到外延生长和器件制备的全部国产化，为国内微波大功率器件的研发奠定了基
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
从2006年8月，科技部启动“十一五”863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目以来，我国led外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技
https://www.alighting.cn/resource/20100216/129019.htm2010/2/16 0:00:00
近几年，半导体照明产业发展迅速，美国、日本、欧洲、韩国及我国台湾地区在不同领域都具有较强优势，全球产值年增长率保持在20%以上。我国led产业经过30多年的发展，已初步形成包括外
https://www.alighting.cn/news/2010311/V23075.htm2010/3/11 9:22:20
年，高新区已签约led项目4个，投资金额32.3亿元;意向led项目3个，投资金额129亿元;在谈led项目32个，投资金额119.215亿元，已引进mocvd(led外延芯片核心设
https://www.alighting.cn/news/2010714/V24361.htm2010/7/14 8:54:42
d外延原材料高纯金属有机化合物(mo源)”、“交流led白光及荧光粉技术”、“去电源化高压led核心技术研发”，以及“大功率高亮度高可靠性倒装led芯片级封装技术”等一批项目量产
https://www.alighting.cn/news/2013918/n929856426.htm2013/9/18 9:23:08
