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以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
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圆等，目前已建置的mocvd机台也都超过50台规模。 但因未来台商在中国大陆地区建置的磊晶厂，其所扩增的mocvd机台数目将大幅领先台湾本地，预料led产业的发展重心，也将逐
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