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碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
【led幕墙屏】近几年来led技术发展迅速，衬底、外延及芯片核心技术取得了突破性进展。pss衬底、非极性、半极性衬底、芯片新结构、外延新技术等，均为提高led【led窗帘屏】内量
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的inGaN，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
面的gaas使p-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收,造成光能的浪费,因此改用透明的gap材料来做基板。又如日本日亚化学工业(nichia)在GaN的led中,将p型电极(p type)部
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 led芯片的制
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00
据国外媒体报道，来自led相关产品厂商的大量信息显示，由于市场需求强劲，在不久的将来led芯片和外延片生长（epitaxy wafers）的价格都将会上涨，而这很可能推动led背
http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/8/8/232048.html2011/8/8 21:11:00
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
件事情,因为一旦技术获得突破,外延生长成本和器件加工成本将大幅度下降。si片作为GaN材料的衬底有许多优点,如晶体质量高,尺寸大,成本低,易加工,良好的导电性、导热性和热稳定性等。然
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
随着led技术相对快速的进步与性价比的提高，led在照明市场的发展已超乎原先预期的进度，爱迪生发明的钨丝灯泡，歷经百年后，将面临被取代的挑战，钨丝灯泡发光原理是藉由电能转热能，进而
https://www.alighting.cn/pingce/20100913/122982.htm2010/9/13 10:52:50
受经济形势、企业自身等影响，近来国内照明行业可谓是多事之秋，雷士照明、佛山照明因控制权之争、违规披露等情况相继被推至行业风口浪尖。记者从第九届中国国际半导体照明展览会上获悉，随着人
https://www.alighting.cn/news/2012118/n928745599.htm2012/11/8 14:42:22
