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全球八大led芯片制造商

全球八大led芯片制造商 1,cree 　　著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫

http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00

全球半导体照明市场格局分析

面对1500亿元的巨大市场蛋糕，以ge、philips、osram、cree、Lumileds、nichia、toyodagosei等全球产业链巨头为代表的跨国公司、国内400

https://www.alighting.cn/news/2011628/n119032808.htm2011/6/28 22:09:10

全球led产业市场格局及各大企业竞争分析

面对1500亿元的巨大市场蛋糕，以ge、philips、osram、cree、Lumileds、nichia、toyodagosei等全球产业链巨头为代表的跨国公司、国内400

https://www.alighting.cn/news/20110719/90564.htm2011/7/19 12:00:45

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

陶瓷封装在高功率led上的实际应用

在陶瓷封装尚未普及前，以Lumileds所提出的k1封装形式，在1w(或以上)的led的领域己成为大家所熟知的产品。但是随着市场对产品特性要求的提升，封装厂仍不断地改良自家产品。

https://www.alighting.cn/news/201379/n997153548.htm2013/7/9 10:34:01

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