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块：灯泡型(lamp), 集束型(cluster), 数字型(digital),点矩阵型(dot matrix) 表面粘着型(smd) ,等磊芯片(epi wafer), 晶
http://blog.alighting.cn/sales7/archive/2011/6/20/222126.html2011/6/20 9:25:00
准中20英寸～50英寸的能耗基本在1.3瓦/英寸～2.1瓦/英寸。 全球产业集中度进一步提高。技术快速发展，战略性调整进程加快。基于薄型化、低功耗、基板集成芯片、倍频、led背光
http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/6/228796.html2011/7/6 9:34:00
游技术的集中度并不高，从半导体材料生长、芯片、外延、封装等均有较多企业涉足。由近年来led光源产品非常迅速的发光性能提升和价格下降的程度也可以看出这是一种走快速普及化道路的新兴产
http://blog.alighting.cn/brucetuan/archive/2011/7/14/229684.html2011/7/14 15:49:00
频无极灯的投入成本大概是led灯具的50%.此外，无极灯企业具有完全的自主知识产权，国外90%的无极灯是由中国企业生产，而led的芯片却是需要大量国外进口。 但是，无极灯产
http://blog.alighting.cn/elux24/archive/2011/7/16/229790.html2011/7/16 16:04:00
耗)。这些电容器采用0603外型尺寸，大部份的电容器制造商均能提供此类产品。采用开关电容器的闪灯驱动器之整体方案尺寸一般约为25mm2。例如，采用芯片级封装的美国国家半导体l
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229833.html2011/7/17 22:26:00
d芯片研制成功，全彩色led显示屏进入市场；电子计算机及微电子领域的技术发展，在显示屏控制技术领域出现了视频控制技术，显示屏灰度等级实现16级灰度和64级灰度调灰，显示屏的动态显示效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229838.html2011/7/17 22:31:00
器的位置。此外,电流设定电阻(rfb)应该直接连接至芯片的接地,因 为内部参考和检测电压之间的错误会直接影响led电流精确度。4. 在真实环境下测您的试产品考虑显示屏在外界高亮度光照条
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229890.html2011/7/17 23:00:00
网的组网方案。以fpga为硬件载体,在单一芯片上实现控制节点的所有功能。(1)采用ipv6实时以太网①以太网是目前应用最广、技术最成熟的计算机网络,兼容性好。基于tcp/ip的以太
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229922.html2011/7/17 23:18:00
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。衬底材料的选择主要取决于以下九
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
望高性能led能提供“芯片led”的表贴
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
