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[原创]销售wj880a 全方位升降工作灯

灯头光通量 lm 10000 平均使用寿命 h 2000 3 连续工作时间 市电供电 长时间 发

  http://blog.alighting.cn/wzhszm0577/archive/2010/3/12/35599.html2010/3/12 8:56:00

sfD6000c全方位自动升降工作灯 (shfw6110c全方位自动泛光灯)

明远近兼顾,范围大,亮度高、灯泡寿命长. 2.选用3节伸缩气缸作为升降调节方式,使用电动气泵可快速控制气缸的升降,最大升起高度为4.5米;上下转动灯头可调节光束照射角度,灯光覆盖半

  http://blog.alighting.cn/rpzmdq/archive/2010/3/20/37680.html2010/3/20 16:33:00

美的灯盘 t5 胶片灯盘 电灯盘 工程灯盘

装箱数量(只) 吸顶式电子工程灯盘t5/t8系列 mDpy2*14-t5/D/q-ijmDpy2*14-t5/D/q-iymDpy3*14-t

  http://blog.alighting.cn/puenzhaoming/archive/2010/3/22/37818.html2010/3/22 13:13:00

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日企高效率直管型leD灯将上市 价格1.25万日元

日本爱丽思欧雅玛公司(总部:仙台市)宣布,可实现“业界顶级”发光效率(该公司)——170lm/w的直管型leD灯“ecohilux heα”,将于2014年3月底上市。这种灯适用

  https://www.alighting.cn/news/2014121/n110059725.htm2014/1/21 13:31:41

大功率leD芯片粘结材料和封装基板材料的研究

b板的leD总体热阻分别为8.95、10.66和22.48℃/w;采用sn20au80和银胶芯片粘接的leD,芯片到cu热沉的热阻分别为3.75和4.80℃/w.因此对于大功率le

  https://www.alighting.cn/2011/12/5 17:48:09

lp-mocvD生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvD系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

leD显示控制系统中sDram控制器的设计

对应用在leD显示控制系统中的sDram控制器进行了设计,实现了256×64像素点的实时显示控制,采用xilinx公司的现场可编程逻辑器件(fpga)xc3s250e作为系统的硬

  https://www.alighting.cn/resource/20110927/127072.htm2011/9/27 13:45:05

gan leD外延片微结构分析及性能研究

数,2.利用高分辨x射线衍射对gan基leD外延片的超晶格结构进行了量, 3.利用高分辨透射电子显微镜对gan基leD外延片进行了分析 4.利用f7000荧光光谱仪对样品进行了光

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

纳米zno薄膜对有机电致发光器件性能的影响

对这种发光器件性能的影响。在普通有机电致发光器件空穴传输层和发光层之间直接蒸镀一层纳米zno薄膜,当纳米zno薄膜的厚度为1nm时,器件的电流效率可达3.26cD/a,是没有纳米zn

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15

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