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件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleDs器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
报导了一个利用leD作光源探测甲烷浓度的差分探测系统,分析了系统中各光学元件的作用,给出甲烷浓度的计算方法及实验结果.选用甲烷在1.65μm附近2ν3谱带中的r支作为探测对象.利
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127188.htm2011/9/7 9:22:31
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为106k,jc(77k,0t)为3.5ma/cm2,微波表面电阻rs(77k,10ghz)为390μ
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
其光学吸收边随温度升高而发生红移现象,且禁带宽度和热力学温度之间满足eg(t)=3.40-4.91×10-4t的关系.这为今后进一步利用zno薄膜的禁带宽度检测相应的环境温度,研制
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06
D灯具的安全性。 3、电源输入电压范围：（电压：170--250v）变化时，均能稳定地工作。使leD灯发光效果好，寿命更长等优点。 4、本leD防水型开关电源有多种规格设计，适合各
http://blog.alighting.cn/lmn2009/archive/2010/4/2/39313.html2010/4/2 12:23:00
c;缺陷密度在102/cm2水平,纯度高于99.995%,常温下晶体在3～5μm波段红外透过率高于85%;用超声振动加工技术对大尺寸蓝宝石单晶进行加工,设计了专用金刚石磨削复合刀
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52
“最高荣誉奖盘”的奖项在全球仅有3家企业获得，与新力光源同享这一殊荣的是国际照明巨头ge（通用电气公司）和中国交通银行。在隆重的颁奖典礼上，上海世博会组委会主任、后世博秘书长徐祖
https://www.alighting.cn/news/2011216/n835530308.htm2011/2/16 0:56:04
y3a l5o12,该荧光体可以很好的被470 nm蓝光激发,发射出550 nm的黄光。研究结果表明,该ce:yag陶瓷荧光体是一种非常适合大功率白光leD封装的荧光材
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127240.htm2011/8/29 16:12:31
