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大功率led封装产业化的研究

一要点,并根据试验结果和应用反馈,进行不断的改良与完善;3、产品可靠性工程的主要考量点:抗衰减、抗辐射、抗冲击、防老化、防腐蚀、防静电、耐温性、耐应力、牢固度、密封性 (产品设计、物

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229963.html2011/7/17 23:38:00

led封装对光通量的强化

d bragg reflector)反射层,将另一的光源折向同一。gan方面则将基板材料换成蓝宝石(sapphire,al2o3,三氧化二铝)来增加反射,同时将基板表面设计成凹凸纹状,藉

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功率型led的封装技术

中一种plcc-4 结构封装形式,其功率约200~300mw, 这些结构的热阻一般为75~125 /w。 总之这些结构的功率led比支架式封装的led 输入功率提高几倍,热阻下降几

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led的外延片生长技术

n外延片层悬空于沟槽上方,是在gan外延片层侧壁的横向外延片生长。采用这种方法,不需要掩膜,因此 避免了gan和嶷膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led外延片材料它为发

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led芯片的制造工艺简介

把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了片或毛片等。刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

led外延片(衬底材料)介绍

行目测,把有一点缺陷或者电极有磨损的,分捡出来,这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些参数不符合要求),就

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led晶圆技术的未来发展趋势

成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan晶圆层的生长,此时生长的gan晶圆层悬空于沟槽上方,是在gan晶圆层侧壁的横向晶圆生长。采用这种方法,不需要掩膜,因

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

白光led照明驱动选择及其主要电路结构设计

布电容限定值,在变压器的线圈结构中实现,而趋肤效应影响则作为选择导线规格的条件之一。变压器的漏感主要为励磁电感,、漏感、副漏感:,如图3.14 所示。其中励磁电感lm 很大,并

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led驱动电路概述

动电路一般只适合于驱动阵列形式固定的,并且灯 个数较少的led陈列。??天下明科技正在开发的另外一个高档次的led驱动电路系列的产品中,引入了电压或电流反馈控制环节。用 户可以根

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led发光理及性能

发 光 理led作为第四代固体照明光源,有着极其广泛的应用前景.一.发光理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物.如gaas、gap、gaasp/gaalas、ingaalp、gan

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